首都大学東京 研究センター

首都大学東京 Tokyo Metropolitan University

News and Events

高エントロピー合金型ブロック層を持つBiS2系超伝導体を開発

April.20 2018 超伝導理工学研究センター

超伝導物質研究室の曽我部遼太氏(M1),後藤陽介助教,水口佳一准教授らが,高エントロピー合金型ブロック層を持つBiS2系超伝導体RE0.5F0.5BiS2(RE = La, Ce, Pr, Nd, Sm)の開発に成功しました.この成果は応用物理学会速報誌(Appl. Phys. Expree)に掲載されました.

プレス発表:
https://www.tmu.ac.jp/news/topics/17044.html

論文情報:
Superconductivity in REO0.5F0.5BiS2 with high-entropy-alloy-type blocking layers
Ryota Sogabe, Yosuke Goto, Yoshikazu Mizuguchi
Appl. Phys. Express 11, 053102 (2018).